{"id":23694,"date":"2017-07-28T11:30:56","date_gmt":"2017-07-28T09:30:56","guid":{"rendered":"http:\/\/www.insalutenews.it\/in-salute\/?p=23694"},"modified":"2017-09-08T12:24:20","modified_gmt":"2017-09-08T10:24:20","slug":"il-futuro-delle-memorie-ram-e-nano","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.insalutenews.it\/in-salute\/il-futuro-delle-memorie-ram-e-nano\/","title":{"rendered":"Il futuro delle memorie ram \u00e8 \u2018nano\u2019"},"content":{"rendered":"

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Gli Istituti Iom, Ismn e Spin del Cnr hanno determinato lo \u2019spessore critico\u2019 dei materiali magnetici. Le prospettive di utilizzo vanno nella direzione di memorie magnetiche pi\u00f9 performanti. Lo studio pubblicato su Nature Communication<\/em><\/p>\n

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Differenze nella lunghezza critica fra due materiali spintronici. In rosso ossido di Manganese, in verde Arseniuro di Gallio<\/p><\/div>\n

Roma, 28 luglio 2017 \u2013 Il team di ricerca internazionale coordinato dall\u2019Istituto officina dei materiali del Consiglio nazionale delle ricerche di Trieste (Iom-Cnr) con il contributo dell\u2019Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati di Bologna (Ismn-Cnr) e dell\u2019Istituto superconduttori, materiali innovativi e dispositivi di Genova (Spin-Cnr) \u00e8 riuscito per la prima volta a quantificare con precisione nanometrica (un nanometro, un milionesimo di millimetro) il valore dello \u2018spessore critico\u2019 di alcuni materiali magnetici utilizzati nella spintronica (spin transport electronics). Lo studio \u00e8 descritto sulla rivista Nature Communication.<\/em><\/p>\n

Questa disciplina rappresenta un campo emergente dell\u2019elettronica: i dispositivi spintronici sono basati sul controllo dello spin, grandezza quantistica associata a un elettrone e all\u2019informazione magnetica elementare. Lo spin pu\u00f2 assumere solo due valori, up verso l\u2019alto o down verso il basso, il che lo rende il candidato ideale per codificare informazioni, in analogia con il codice binario che utilizza i bit 0 e 1.<\/p>\n

\u201cGrazie all\u2019utilizzo della radiazione di sincrotrone, che permette di analizzare i materiali con sensibilit\u00e0 nanometrica, abbiamo potuto determinare che lo \u2018spessore critico\u2019 risulta essere tra i 3 e 4 nanometri: un risultato innovativo che apre le porte a conoscenze utili per chi debba realizzare nuova tecnologia basata sui materiali magnetici come le manganiti\u201d, spiega Giancarlo Panaccione, coordinatore dello studio e ricercatore Iom-Cnr.<\/p>\n

Per spessore critico s\u2019intende il valore rispetto al quale il comportamento magnetico ed elettronico di due materiali, nel caso specifico l\u2019ossido magnetico e conduttivo del manganese e il semiconduttore arseniuro di gallio con tracce di manganese, inizia a cambiare.<\/p>\n

\u201cQuantificare questa distanza \u00e8 fondamentale per stabilire la velocit\u00e0 di elaborazione dei dati e per il controllo della magnetizzazione, che dipendono fortemente dal materiale utilizzato e dalle sue caratteristiche elettroniche. Infatti ripristinare le propriet\u00e0 di volume (tra la superficie e l\u2019interno del materiale) per un ossido richiede pi\u00f9 nanometri che per il semiconduttore\u201d.<\/p>\n

L\u2019elettronica ha sfruttato per anni il controllo della carica elettrica, ma non si era occupata dello spin, il panorama cambi\u00f2 nel 1988 con la scoperta della Magnetoresistenza gigante.<\/p>\n

\u201cLe prime applicazioni della spintronica, per la realizzazione dei supporti rigidi dei pc fanno vincere, nel 2007, il Nobel per la fisica a A. Fert e P. Grunberg \u2013 conclude Panaccione \u2013 Le applicazioni presenti e future nell\u2019ingegnerizzazione e la progettazione dei dispositivi spintronici vanno nella direzione di nuovi dispositivi come i sensori di posizione o la memorizzazione di dati digitali. Negli ultimi anni l\u2019utilizzo delle nanotecnologie e la realizzazione di materiali con dimensioni nanometriche si \u00e8 rivelato essenziale per rispondere alla necessit\u00e0 di realizzare dispositivi sempre pi\u00f9 piccoli e veloci\u201d.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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